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SIC碳化硅器件參數測試儀HUSTEC-3000

簡要描述:SIC碳化硅器件參數測試儀HUSTEC-3000功能及主要參數:
  適用碳化硅二極管、IGBT模塊MOS管等器件的時間參數測試。

  • 產品型號:
  • 廠商性質:代理商
  • 更新時間:2024-01-29
  • 訪  問  量:1232

詳細介紹

品牌其他品牌應用領域能源,電子,汽車,電氣

SIC碳化硅器件參數測試儀HUSTEC-3000

  • 品牌: 華科智源

  • 名稱: SIC動態參數測試儀

  • 型號: HUSTEC-3000

  • 用途: SIC器件,MOS管, IGBT測試

功能及主要參數:
  適用碳化硅二極管、IGBT模塊\MOS管等器件的時間參數測試。
  主要技術參數:
  IGBT開關特性測試
  開關時間測試條件
  Ic:50A~1000A     Vce:200V~2000V
  Vgs:-10V~+20V  Rg:1R~100R可調(可選擇4檔及外接)
  負  載:感性負載阻性負載可切換
  電感范圍:100uH,200uH,500uH,1000uH
  電阻范圍:0.5R、1R、2R、4R
  

QQ截圖20230427144852.png


SIC碳化硅器件參數測試儀HUSTEC-3000參數
  開通延遲td(on): 20nS -10uS     
  上升時間tr:    20nS -10uS
  開通能量Eon:  0.1-1000mJ                
  關斷延遲時間td(off):20 nS -10uS  
  下降時間 tf: 20nS -10uS                   
  關斷能量Eoff:0.1-1000mJ
  二極管反向恢復特性測試
  FRD測試條件:正向電流IF:50A~1000A;反向電壓 Vr:200V~2000V;-di/dt:100A/us~10000A/us ;負載:感性負載可選
  電感范圍:100uH,200uH,500uH,1000uH
  FRD測試參數
  反向恢復時間trr:20nS -2uS
  反向恢復電荷Qc:10nC~10uC;
  反向恢復電流Irm:50A~1000A
  反向恢復損耗Erec:0.1mJ~1000mJ
產品優勢
  國內能對二極管、IGBT模塊、MOS管等器件的時間參數實施測試的設備。

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